Под заказ 3-4 недели
Покупка в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Доставка 3-4 недели после оплаты
Техническая спецификация
Производитель
—
Toshiba Semiconductor and Storage
Техническая спецификация
—
Manufacturer: Toshiba Semiconductor and Storage,
Series: U-MOSVII-H,
Packaging: Tape & Reel (TR),
Part Status: Active,
FET Type: N-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 100µA,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5nC @ 10V,
Vgs (Max): ±20V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690pF @ 10V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 15W (Tc),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 4.5A, 10V,
Operating Temperature: 150°C (TJ),
Mounting Type: Surface Mount,
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.3x3.3),
Package / Case: 8-PowerVDFN
Описание TPCC8067-H,LQ(S
MOSFET N-CH 30V 9A 8TSON-ADV - N-Channel 30V 9A (Ta) 700mW (Ta), 15W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Транзисторы полевые TPCC8067-H,LQ(S
Наличие
Техническая спецификация
Toshiba Semiconductor and Storage |
Manufacturer: Toshiba Semiconductor and Storage, Series: U-MOSVII-H, Packaging: Tape & Reel (TR), Part Status: Active, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 100µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5nC @ 10V, Vgs (Max): ±20V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690pF @ 10V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 15W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 4.5A, 10V, Operating Temperature: 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.3x3.3), Package / Case: 8-PowerVDFN |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров