Под заказ 3-4 недели
Покупка в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Техническая спецификация
Производитель
—
Toshiba Semiconductor and Storage
Техническая спецификация
—
Manufacturer: Toshiba Semiconductor and Storage,
Series: U-MOSIV,
Packaging: Tube,
Part Status: Active,
FET Type: N-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc),
Vgs(th) (Max) @ Id: -,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54nC @ 10V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): -,
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5 mOhm @ 25A, 10V,
Operating Temperature: -,
Mounting Type: Through Hole,
Supplier Device Package: TO-220-3,
Package / Case: TO-220-3
Описание TK50E06K3A,S1X(S
MOSFET N-CH 60V 50A TO-220AB - N-Channel 60V 50A (Tc)Through Hole TO-220-3
Транзисторы полевые TK50E06K3A,S1X(S
Наличие
Техническая спецификация
Toshiba Semiconductor and Storage |
Manufacturer: Toshiba Semiconductor and Storage, Series: U-MOSIV, Packaging: Tube, Part Status: Active, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: -, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54nC @ 10V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): -, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5 mOhm @ 25A, 10V, Operating Temperature: -, Mounting Type: Through Hole, Supplier Device Package: TO-220-3, Package / Case: TO-220-3 |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров