Под заказ 3-4 недели
Покупка в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Доставка 3-4 недели после оплаты
Техническая спецификация
Производитель
—
Renesas Electronics America
Техническая спецификация
—
Manufacturer: Renesas Electronics America,
Series: -,
Packaging: Tape & Reel (TR),
Part Status: Obsolete,
FET Type: N-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 75V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150nC @ 10V,
Vgs (Max): ±20V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400pF @ 25V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 200W (Tc),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5 mOhm @ 42A, 10V,
Operating Temperature: 175°C (TJ),
Mounting Type: Surface Mount,
Supplier Device Package: TO-263,
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Описание NP84N075KUE-E1-AY
MOSFET N-CH 75V 84A TO-263 - N-Channel 75V 84A (Tc) 1.8W (Ta), 200W (Tc) Surface Mount TO-263
Транзисторы полевые NP84N075KUE-E1-AY
Наличие
Техническая спецификация
Renesas Electronics America |
Manufacturer: Renesas Electronics America, Series: -, Packaging: Tape & Reel (TR), Part Status: Obsolete, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 75V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150nC @ 10V, Vgs (Max): ±20V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400pF @ 25V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 200W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5 mOhm @ 42A, 10V, Operating Temperature: 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: TO-263, Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров