Под заказ 3-4 недели
Покупка в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Доставка 3-4 недели после оплаты
Техническая спецификация
Производитель
—
Vishay Siliconix
Техническая спецификация
—
Manufacturer: Vishay Siliconix,
Series: TrenchFET®,
Packaging: Tape & Reel (TR),
Part Status: Obsolete,
FET Type: N-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min),
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V,
Vgs (Max): ±20V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 4.9A, 10V,
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ),
Mounting Type: Surface Mount,
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™,
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Описание SI5402DC-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8 - N-Channel 30V 4.9A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount 1206-8 ChipFET™
Транзисторы полевые SI5402DC-T1-GE3
Наличие
Техническая спецификация
Vishay Siliconix |
Manufacturer: Vishay Siliconix, Series: TrenchFET®, Packaging: Tape & Reel (TR), Part Status: Obsolete, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min), Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V, Vgs (Max): ±20V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 4.9A, 10V, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™, Package / Case: 8-SMD, Flat Lead |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров