Под заказ 3-4 недели
Покупка в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Техническая спецификация
Производитель
—
Vishay Siliconix
Техническая спецификация
—
Manufacturer: Vishay Siliconix,
Series: TrenchFET®,
Packaging: Tape & Reel (TR),
Part Status: Obsolete,
FET Type: P-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 8V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: -,
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.45nC @ 5V,
Vgs (Max): ±5V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560pF @ 4V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 236mW (Ta),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 122 mOhm @ 1.2A, 4.5V,
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ),
Mounting Type: Surface Mount,
Supplier Device Package: SC-89-6,
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Описание SI1051X-T1-E3
MOSFET P-CH 8V 1.2A SC89-6 - P-Channel 8V236mW (Ta) Surface Mount SC-89-6
Транзисторы полевые SI1051X-T1-E3
Наличие
Техническая спецификация
Vishay Siliconix |
Manufacturer: Vishay Siliconix, Series: TrenchFET®, Packaging: Tape & Reel (TR), Part Status: Obsolete, FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 8V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: -, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.45nC @ 5V, Vgs (Max): ±5V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560pF @ 4V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 236mW (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 122 mOhm @ 1.2A, 4.5V, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: SC-89-6, Package / Case: SOT-563, SOT-666 |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров