Под заказ 3-4 недели
Покупка в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Техническая спецификация
Производитель
—
Texas Instruments
Техническая спецификация
—
Manufacturer: Texas Instruments,
Series: NexFET™,
Packaging: Digi-Reel®,
Part Status: Obsolete,
FET Type: P-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3nC @ 4.5V,
Vgs (Max): ±8V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435pF @ 10V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58 mOhm @ 1.5A, 4.5V,
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ),
Mounting Type: Surface Mount,
Supplier Device Package: 6-DSBGA (1x1.5),
Package / Case: 6-UFBGA, DSBGA
Описание CSD25303W1015
MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA - P-Channel 20V 3A (Tc) 1.5W (Ta) Surface Mount 6-DSBGA (1x1.5)
Транзисторы полевые CSD25303W1015
Наличие
Техническая спецификация
Texas Instruments |
Manufacturer: Texas Instruments, Series: NexFET™, Packaging: Digi-Reel®, Part Status: Obsolete, FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3nC @ 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435pF @ 10V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58 mOhm @ 1.5A, 4.5V, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: 6-DSBGA (1x1.5), Package / Case: 6-UFBGA, DSBGA |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров