Под заказ 3-4 недели
Покупка в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Техническая спецификация
Производитель
—
Cree/Wolfspeed
Техническая спецификация
—
Manufacturer: Cree/Wolfspeed,
Series: Z-FET™,
Packaging: Tube,
Part Status: Obsolete,
FET Type: N-Channel,
Technology: SiCFET (Silicon Carbide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90.8nC @ 20V,
Vgs (Max): +25V, -5V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1915pF @ 800V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 215W (Tc),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 20A, 20V,
Operating Temperature: -55°C ~ 135°C (TJ),
Mounting Type: Through Hole,
Supplier Device Package: TO-247-3,
Package / Case: TO-247-3
Описание CMF20120D
MOSFET N-CH 1200V 42A TO-247-3 - N-Channel 1200V 42A (Tc) 215W (Tc) Through Hole TO-247-3
Транзисторы полевые CMF20120D
Наличие
Техническая спецификация
Cree/Wolfspeed |
Manufacturer: Cree/Wolfspeed, Series: Z-FET™, Packaging: Tube, Part Status: Obsolete, FET Type: N-Channel, Technology: SiCFET (Silicon Carbide), Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90.8nC @ 20V, Vgs (Max): +25V, -5V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1915pF @ 800V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 215W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 20A, 20V, Operating Temperature: -55°C ~ 135°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Supplier Device Package: TO-247-3, Package / Case: TO-247-3 |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров