Под заказ 3-4 недели
Покупка в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Техническая спецификация
Производитель
—
Toshiba Semiconductor and Storage
Техническая спецификация
—
Manufacturer: Toshiba Semiconductor and Storage,
Series: U-MOSVI-H,
Packaging: Tape & Reel (TR),
Part Status: Active,
FET Type: N-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 100µA,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5nC @ 10V,
Vgs (Max): ±20V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150pF @ 10V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): -,
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8 mOhm @ 20A, 10V,
Operating Temperature: -,
Mounting Type: Surface Mount,
Supplier Device Package: DP,
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Описание TK40P03M1(T6RSS-Q)
MOSFET N-CH 30V 40A 3DP 2-7K1A - N-Channel 30V 40A (Ta)Surface Mount DP
Транзисторы полевые TK40P03M1(T6RSS-Q)
Наличие
Техническая спецификация
Toshiba Semiconductor and Storage |
Manufacturer: Toshiba Semiconductor and Storage, Series: U-MOSVI-H, Packaging: Tape & Reel (TR), Part Status: Active, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 100µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5nC @ 10V, Vgs (Max): ±20V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150pF @ 10V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): -, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8 mOhm @ 20A, 10V, Operating Temperature: -, Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: DP, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров