Под заказ 3-4 недели
Покупка в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Техническая спецификация
Производитель
—
Infineon Technologies
Техническая спецификация
—
Manufacturer: Infineon Technologies,
Series: OptiMOS™,
Packaging: Digi-Reel®,
Part Status: Obsolete,
FET Type: N-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.5V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 750mV @ 30µA,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7nC @ 2.5V,
Vgs (Max): ±8V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1347pF @ 10V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 2W (Ta),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 7.5A, 2.5V,
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ),
Mounting Type: Surface Mount,
Supplier Device Package: PG-TSOP6-6,
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Описание BSL802SNL6327HTSA1
MOSFET N-CH 20V 7.5A TSOP6 - N-Channel 20V 7.5A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount PG-TSOP6-6
Транзисторы полевые BSL802SNL6327HTSA1
Наличие
Техническая спецификация
Infineon Technologies |
Manufacturer: Infineon Technologies, Series: OptiMOS™, Packaging: Digi-Reel®, Part Status: Obsolete, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 750mV @ 30µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7nC @ 2.5V, Vgs (Max): ±8V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1347pF @ 10V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 7.5A, 2.5V, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: PG-TSOP6-6, Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров