Под заказ 3-4 недели
Покупка в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Доставка 3-4 недели после оплаты
Техническая спецификация
Производитель
—
Toshiba Semiconductor and Storage
Техническая спецификация
—
Manufacturer: Toshiba Semiconductor and Storage,
Series: U-MOSIII,
Packaging: Digi-Reel®,
Part Status: Obsolete,
FET Type: N-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 1mA,
Vgs (Max): ±12V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 174pF @ 10V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205 mOhm @ 250mA, 4V,
Operating Temperature: 150°C (TJ),
Mounting Type: Surface Mount,
Supplier Device Package: CST4 (1.2x0.8),
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Описание SSM4K27CTTPL3
MOSFET N-CH 20V .5A CST4 - N-Channel 20V 500mA (Ta) 400mW (Ta) Surface Mount CST4 (1.2x0.8)
Транзисторы полевые SSM4K27CTTPL3
Наличие
Техническая спецификация
Toshiba Semiconductor and Storage |
Manufacturer: Toshiba Semiconductor and Storage, Series: U-MOSIII, Packaging: Digi-Reel®, Part Status: Obsolete, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 1mA, Vgs (Max): ±12V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 174pF @ 10V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205 mOhm @ 250mA, 4V, Operating Temperature: 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: CST4 (1.2x0.8), Package / Case: 4-SMD, No Lead |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров