Под заказ 3-4 недели
Покупка в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Техническая спецификация
Производитель
—
Diodes Incorporated
Техническая спецификация
—
Manufacturer: Diodes Incorporated,
Series: -,
Packaging: Cut Tape (CT),
Part Status: Discontinued at Digi-Key,
FET Type: N-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.62A (Ta),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.85nC @ 10V,
Vgs (Max): ±20V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 867pF @ 10V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 990mW (Ta),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 11.6A, 10V,
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ),
Mounting Type: Surface Mount,
Supplier Device Package: U-DFN3030-8,
Package / Case: 8-PowerUDFN
Описание DMG4468LFG
MOSFET N-CH 30V 7.62A 8DFN - N-Channel 30V 7.62A (Ta) 990mW (Ta) Surface Mount U-DFN3030-8
Транзисторы полевые DMG4468LFG
Наличие
Техническая спецификация
Diodes Incorporated |
Manufacturer: Diodes Incorporated, Series: -, Packaging: Cut Tape (CT), Part Status: Discontinued at Digi-Key, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.62A (Ta), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.85nC @ 10V, Vgs (Max): ±20V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 867pF @ 10V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 990mW (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 11.6A, 10V, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: U-DFN3030-8, Package / Case: 8-PowerUDFN |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров