Под заказ 3-4 недели
Покупка в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Техническая спецификация
Производитель
—
ON Semiconductor
Техническая спецификация
—
Manufacturer: ON Semiconductor,
Series: -,
Packaging: Cut Tape (CT),
Part Status: Obsolete,
FET Type: N-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 24V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V,
Vgs (Max): ±10V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500pF @ 6V,
FET Feature: Current Sensing,
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 6A, 10V,
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ),
Mounting Type: Surface Mount,
Supplier Device Package: 4-PLLP,
Package / Case: 4-DFN
Описание NILMS4501NR2G
MOSFET N-CH 24V 9.5A 4-LLP - N-Channel 24V 9.5A (Ta) 1.4W (Ta) Surface Mount 4-PLLP
Транзисторы полевые NILMS4501NR2G
Наличие
Техническая спецификация
ON Semiconductor |
Manufacturer: ON Semiconductor, Series: -, Packaging: Cut Tape (CT), Part Status: Obsolete, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 24V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V, Vgs (Max): ±10V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500pF @ 6V, FET Feature: Current Sensing, Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 6A, 10V, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: 4-PLLP, Package / Case: 4-DFN |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров