Под заказ 3-4 недели
Покупка в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Доставка 3-4 недели после оплаты
Техническая спецификация
Производитель
—
Infineon Technologies
Техническая спецификация
—
Manufacturer: Infineon Technologies,
Series: SIPMOS®,
Packaging: Tape & Reel (TR),
Part Status: Obsolete,
FET Type: N-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 250V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 56µA,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5nC @ 5V,
Vgs (Max): ±20V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 76pF @ 25V,
FET Feature: Depletion Mode,
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 Ohm @ 0.1mA, 10V,
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ),
Mounting Type: Surface Mount,
Supplier Device Package: PG-SOT23-3,
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Описание BSS139L6906HTSA1
MOSFET N-CH 250V 100MA SOT-23 - N-Channel 250V 100mA (Ta) 360mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23-3
Транзисторы полевые BSS139L6906HTSA1
Наличие
Техническая спецификация
Infineon Technologies |
Manufacturer: Infineon Technologies, Series: SIPMOS®, Packaging: Tape & Reel (TR), Part Status: Obsolete, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 250V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 56µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5nC @ 5V, Vgs (Max): ±20V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 76pF @ 25V, FET Feature: Depletion Mode, Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 Ohm @ 0.1mA, 10V, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: PG-SOT23-3, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров