Под заказ 3-4 недели
Покупка в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Техническая спецификация
Производитель
—
Toshiba Semiconductor and Storage
Техническая спецификация
—
Manufacturer: Toshiba Semiconductor and Storage,
Series: -,
Packaging: Tape & Reel (TR),
Part Status: Obsolete,
FET Type: N-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 250V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100nC @ 10V,
Vgs (Max): ±20V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000pF @ 10V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 125W (Tc),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 10A, 10V,
Operating Temperature: 150°C (TJ),
Mounting Type: Surface Mount,
Supplier Device Package: 4-TFP (9.2x9.2),
Package / Case: SC-97
Описание 2SK3388(TE24L,Q)
MOSFET N-CH 250V 20A SC-97 - N-Channel 250V 20A (Ta) 125W (Tc) Surface Mount 4-TFP (9.2x9.2)
Транзисторы полевые 2SK3388(TE24L,Q)
Наличие
Техническая спецификация
Toshiba Semiconductor and Storage |
Manufacturer: Toshiba Semiconductor and Storage, Series: -, Packaging: Tape & Reel (TR), Part Status: Obsolete, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 250V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100nC @ 10V, Vgs (Max): ±20V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000pF @ 10V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 10A, 10V, Operating Temperature: 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: 4-TFP (9.2x9.2), Package / Case: SC-97 |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров