Под заказ 3-4 недели
Покупка в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Доставка 3-4 недели после оплаты
Техническая спецификация
Производитель
—
Toshiba Semiconductor and Storage
Техническая спецификация
—
Manufacturer: Toshiba Semiconductor and Storage,
Series: -,
Packaging: Bulk,
Part Status: Obsolete,
FET Type: P-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 10V,
Vgs (Max): ±20V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200pF @ 10V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 40W (Tc),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 7A, 10V,
Operating Temperature: 150°C (TJ),
Mounting Type: Through Hole,
Supplier Device Package: TO-220NIS,
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Описание 2SJ304(F)
MOSFET P-CH 60V 14A TO220NIS - P-Channel 60V 14A (Ta) 40W (Tc) Through Hole TO-220NIS
Транзисторы полевые 2SJ304(F)
Наличие
Техническая спецификация
Toshiba Semiconductor and Storage |
Manufacturer: Toshiba Semiconductor and Storage, Series: -, Packaging: Bulk, Part Status: Obsolete, FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 10V, Vgs (Max): ±20V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200pF @ 10V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 40W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 7A, 10V, Operating Temperature: 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Supplier Device Package: TO-220NIS, Package / Case: TO-220-3 Full Pack |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров