Под заказ 3-4 недели
Покупка в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Доставка 3-4 недели после оплаты
Техническая спецификация
Производитель
—
Vishay Siliconix
Техническая спецификация
—
Manufacturer: Vishay Siliconix,
Series: TrenchFET®,
Packaging: Digi-Reel®,
Part Status: Obsolete,
FET Type: P-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 8V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V,
Vgs (Max): ±8V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740pF @ 4V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 1.7W (Tc),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 4.1A, 4.5V,
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ),
Mounting Type: Surface Mount,
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236),
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Описание SI2305ADS-T1-GE3
MOSFET P-CH 8V 5.4A SOT23-3 - P-Channel 8V 5.4A (Tc) 960mW (Ta), 1.7W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Транзисторы полевые SI2305ADS-T1-GE3
Наличие
Техническая спецификация
Vishay Siliconix |
Manufacturer: Vishay Siliconix, Series: TrenchFET®, Packaging: Digi-Reel®, Part Status: Obsolete, FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 8V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740pF @ 4V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 1.7W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 4.1A, 4.5V, Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров