Под заказ 3-4 недели
Покупка в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Техническая спецификация
Производитель
—
IXYS
Техническая спецификация
—
Manufacturer: IXYS,
Series: -,
Packaging: Tube,
Part Status: Obsolete,
FET Type: N-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350A (Tc),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 3mA,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 640nC @ 10V,
Vgs (Max): ±20V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27000pF @ 25V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 830W (Tc),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5 mOhm @ 175A, 10V,
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ),
Mounting Type: Chassis Mount,
Supplier Device Package: SOT-227B,
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Описание IXUN350N10
MOSFET N-CH 100V 350A SOT-227B - N-Channel 100V 350A (Tc) 830W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Транзисторы полевые IXUN350N10
Наличие
Техническая спецификация
IXYS |
Manufacturer: IXYS, Series: -, Packaging: Tube, Part Status: Obsolete, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350A (Tc), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 3mA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 640nC @ 10V, Vgs (Max): ±20V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27000pF @ 25V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 830W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5 mOhm @ 175A, 10V, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Chassis Mount, Supplier Device Package: SOT-227B, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров