Под заказ 3-4 недели
Покупка в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Доставка 3-4 недели после оплаты
Техническая спецификация
Производитель
—
Vishay Siliconix
Техническая спецификация
—
Manufacturer: Vishay Siliconix,
Series: TrenchFET®,
Packaging: Digi-Reel®,
Part Status: Obsolete,
FET Type: N-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.16nC @ 5V,
Vgs (Max): ±8V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535pF @ 10V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 13W (Tc),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34 mOhm @ 6.6A, 4.5V,
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ),
Mounting Type: Surface Mount,
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-75-6L Single,
Package / Case: PowerPAK® SC-75-6L
Описание SIB412DK-T1-E3
MOSFET N-CH 20V 9A SC75-6 - N-Channel 20V 9A (Tc) 2.4W (Ta), 13W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-75-6L Single
Транзисторы полевые SIB412DK-T1-E3
Наличие
Техническая спецификация
Vishay Siliconix |
Manufacturer: Vishay Siliconix, Series: TrenchFET®, Packaging: Digi-Reel®, Part Status: Obsolete, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.16nC @ 5V, Vgs (Max): ±8V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535pF @ 10V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 13W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34 mOhm @ 6.6A, 4.5V, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: PowerPAK® SC-75-6L Single, Package / Case: PowerPAK® SC-75-6L |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров