Под заказ 3-4 недели
Покупка в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Доставка 3-4 недели после оплаты
Техническая спецификация
Производитель
—
Vishay Siliconix
Техническая спецификация
—
Manufacturer: Vishay Siliconix,
Series: -,
Packaging: Digi-Reel®,
Part Status: Obsolete,
FET Type: N-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135nC @ 10V,
Vgs (Max): ±20V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900pF @ 30V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 96W (Tc),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8 mOhm @ 19.7A, 10V,
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ),
Mounting Type: Surface Mount,
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8,
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Описание SI7138DP-T1-E3
MOSFET N-CH 60V 30A PPAK SO-8 - N-Channel 60V 30A (Tc) 5.4W (Ta), 96W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Транзисторы полевые SI7138DP-T1-E3
Наличие
Техническая спецификация
Vishay Siliconix |
Manufacturer: Vishay Siliconix, Series: -, Packaging: Digi-Reel®, Part Status: Obsolete, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135nC @ 10V, Vgs (Max): ±20V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900pF @ 30V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 96W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8 mOhm @ 19.7A, 10V, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Package / Case: PowerPAK® SO-8 |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров