Под заказ 3-4 недели
Покупка в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Доставка 3-4 недели после оплаты
Техническая спецификация
Производитель
—
Vishay Siliconix
Техническая спецификация
—
Manufacturer: Vishay Siliconix,
Series: TrenchFET®,
Packaging: Digi-Reel®,
Part Status: Obsolete,
FET Type: N-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: -,
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7nC @ 5V,
Vgs (Max): ±8V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 10V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 236mW (Ta),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 89 mOhm @ 1.32A, 4.5V,
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ),
Mounting Type: Surface Mount,
Supplier Device Package: SC-89-6,
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Описание SI1056X-T1-E3
MOSFET N-CH 20V 1.32A SOT563F - N-Channel 20V236mW (Ta) Surface Mount SC-89-6
Транзисторы полевые SI1056X-T1-E3
Наличие
Техническая спецификация
Vishay Siliconix |
Manufacturer: Vishay Siliconix, Series: TrenchFET®, Packaging: Digi-Reel®, Part Status: Obsolete, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: -, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7nC @ 5V, Vgs (Max): ±8V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 10V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 236mW (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 89 mOhm @ 1.32A, 4.5V, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: SC-89-6, Package / Case: SOT-563, SOT-666 |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров