Под заказ 3-4 недели
Покупка в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Техническая спецификация
Производитель
—
IXYS
Техническая спецификация
—
Manufacturer: IXYS,
Series: HiPerFET™,
Packaging: Tube,
Part Status: Obsolete,
FET Type: N-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250nC @ 10V,
Vgs (Max): ±20V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): -,
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390 mOhm @ 15A, 10V,
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ),
Mounting Type: Through Hole,
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™,
Package / Case: i4-Pac™-5 (3 leads)
Описание IXFF24N100
MOSFET N-CH 1000V 22A I4-PAC - N-Channel 1000V 22A (Tc)Through Hole ISOPLUS i4-PAC™
Транзисторы полевые IXFF24N100
Наличие
Техническая спецификация
IXYS |
Manufacturer: IXYS, Series: HiPerFET™, Packaging: Tube, Part Status: Obsolete, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250nC @ 10V, Vgs (Max): ±20V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): -, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390 mOhm @ 15A, 10V, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™, Package / Case: i4-Pac™-5 (3 leads) |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров