Под заказ 3-4 недели
Покупка в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Доставка 3-4 недели после оплаты
Техническая спецификация
Производитель
—
Infineon Technologies
Техническая спецификация
—
Manufacturer: Infineon Technologies,
Series: OptiMOS™,
Packaging: Digi-Reel®,
Part Status: Obsolete,
FET Type: N-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Ta), 73A (Tc),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 35µA,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 5V,
Vgs (Max): ±20V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2670pF @ 15V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 17.5W (Ta), 48W (Tc),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 50A, 10V,
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ),
Mounting Type: Surface Mount,
Supplier Device Package: PG-TDSON-8,
Package / Case: 8-PowerTDFN
Описание BSC059N03S G
MOSFET N-CH 30V 73A TDSON-8 - N-Channel 30V 17.5A (Ta), 73A (Tc) 17.5W (Ta), 48W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8
Транзисторы полевые BSC059N03S G
Наличие
Техническая спецификация
Infineon Technologies |
Manufacturer: Infineon Technologies, Series: OptiMOS™, Packaging: Digi-Reel®, Part Status: Obsolete, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Ta), 73A (Tc), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 35µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 5V, Vgs (Max): ±20V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2670pF @ 15V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 17.5W (Ta), 48W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 50A, 10V, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: PG-TDSON-8, Package / Case: 8-PowerTDFN |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров