Под заказ 3-4 недели
Покупка в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Техническая спецификация
Производитель
—
Infineon Technologies
Техническая спецификация
—
Manufacturer: Infineon Technologies,
Series: SIPMOS®,
Packaging: Tube,
Part Status: Obsolete,
FET Type: N-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Tc),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 21µA,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.4nC @ 10V,
Vgs (Max): ±20V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 426pF @ 25V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 50W (Tc),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170 mOhm @ 7.8A, 10V,
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ),
Mounting Type: Through Hole,
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1,
Package / Case: TO-220-3
Описание SPP10N10
MOSFET N-CH 100V 10.3A TO-220 - N-Channel 100V 10.3A (Tc) 50W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Транзисторы полевые SPP10N10
Наличие
Техническая спецификация
| Infineon Technologies |
| Manufacturer: Infineon Technologies, Series: SIPMOS®, Packaging: Tube, Part Status: Obsolete, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Tc), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 21µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.4nC @ 10V, Vgs (Max): ±20V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 426pF @ 25V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 50W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170 mOhm @ 7.8A, 10V, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Supplier Device Package: PG-TO220-3-1, Package / Case: TO-220-3 |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров
