Под заказ 3-4 недели
Покупка в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Техническая спецификация
Производитель
—
Infineon Technologies
Техническая спецификация
—
Manufacturer: Infineon Technologies,
Series: SIPMOS®,
Packaging: Tape & Reel (TR),
Part Status: Obsolete,
FET Type: P-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.83A (Ta),
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420pF @ 25V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 42W (Tc),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 6.2A, 10V,
Operating Temperature: -,
Mounting Type: Surface Mount,
Supplier Device Package: PG-TO252-3,
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Описание SPD08P06P
MOSFET P-CH 60V 8.83A DPAK - P-Channel 60V 8.83A (Ta) 42W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Транзисторы полевые SPD08P06P
Наличие
Техническая спецификация
| Infineon Technologies |
| Manufacturer: Infineon Technologies, Series: SIPMOS®, Packaging: Tape & Reel (TR), Part Status: Obsolete, FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.83A (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420pF @ 25V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 42W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 6.2A, 10V, Operating Temperature: -, Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: PG-TO252-3, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров
