Под заказ 3-4 недели
Покупка в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Техническая спецификация
Производитель
—
Infineon Technologies
Техническая спецификация
—
Manufacturer: Infineon Technologies,
Series: SIPMOS®,
Packaging: Tube,
Part Status: Obsolete,
FET Type: N-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 200V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Tc),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA,
Vgs (Max): ±20V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 25V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 75W (Tc),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 6A, 10V,
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ),
Mounting Type: Surface Mount,
Supplier Device Package: PG-TO263-3,
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Описание BUZ32H3045AATMA1
MOSFET N-CH 200V 9.5A TO-263 - N-Channel 200V 9.5A (Tc) 75W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Транзисторы полевые BUZ32H3045AATMA1
Наличие
Техническая спецификация
| Infineon Technologies |
| Manufacturer: Infineon Technologies, Series: SIPMOS®, Packaging: Tube, Part Status: Obsolete, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 200V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Tc), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Vgs (Max): ±20V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 25V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 75W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 6A, 10V, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: PG-TO263-3, Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров
