Под заказ 3-4 недели
																							
														
															Покупка в 1 клик														
													
												
												
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты.
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
									Доставка 3-4 недели после оплаты.
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Техническая спецификация
									
															Производитель																													
														—
														
																															Infineon Technologies																													
													
															Техническая спецификация																													
														—
														
																															Manufacturer: Infineon Technologies, 
Series: SIPMOS®, 
Packaging: Tape & Reel (TR), 
Part Status: Obsolete, 
FET Type: N-Channel, 
Technology: MOSFET (Metal Oxide), 
Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, 
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta), 
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V, 
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 94µA, 
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9nC @ 5V, 
Vgs (Max): ±20V, 
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146pF @ 25V, 
FET Feature: Depletion Mode, 
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 Ohm @ 120mA, 10V, 
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), 
Mounting Type: Surface Mount, 
Supplier Device Package: PG-SOT223-4, 
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA																													
													Описание BSP135L6906HTSA1
							MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223 - N-Channel 600V 120mA (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
Транзисторы полевые BSP135L6906HTSA1					
							Техническая спецификация
| Infineon Technologies | 
| Manufacturer: Infineon Technologies, Series: SIPMOS®, Packaging: Tape & Reel (TR), Part Status: Obsolete, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 94µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9nC @ 5V, Vgs (Max): ±20V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146pF @ 25V, FET Feature: Depletion Mode, Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 Ohm @ 120mA, 10V, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: PG-SOT223-4, Package / Case: TO-261-4, TO-261AA | 
Отзывы
										Оставить отзыв									
								Загрузка отзывов...
Похожие товары
											К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
			В данный момент нет активных товаров

