Под заказ 3-4 недели
Покупка в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Техническая спецификация
Производитель
—
Infineon Technologies
Техническая спецификация
—
Manufacturer: Infineon Technologies,
Series: OptiMOS™,
Packaging: Tape & Reel (TR),
Part Status: Obsolete,
FET Type: N-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 5V,
Vgs (Max): ±20V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3620pF @ 15V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4 mOhm @ 16A, 10V,
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ),
Mounting Type: Surface Mount,
Supplier Device Package: PG-DSO-8,
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Описание BSO064N03S
MOSFET N-CH 30V 12A 8DSO - N-Channel 30V 12A (Ta) 1.56W (Ta) Surface Mount PG-DSO-8
Транзисторы полевые BSO064N03S
Наличие
Техническая спецификация
Infineon Technologies |
Manufacturer: Infineon Technologies, Series: OptiMOS™, Packaging: Tape & Reel (TR), Part Status: Obsolete, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 5V, Vgs (Max): ±20V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3620pF @ 15V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4 mOhm @ 16A, 10V, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: PG-DSO-8, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров