Под заказ 3-4 недели
																							
														
															Покупка в 1 клик														
													
												
												
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты.
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
									Доставка 3-4 недели после оплаты.
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Техническая спецификация
									
															Производитель																													
														—
														
																															Infineon Technologies																													
													
															Техническая спецификация																													
														—
														
																															Manufacturer: Infineon Technologies, 
Series: HEXFET®, 
Packaging: Digi-Reel®, 
Part Status: Obsolete, 
FET Type: N-Channel, 
Technology: MOSFET (Metal Oxide), 
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V, 
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 180A (Tc), 
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, 
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA, 
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51nC @ 4.5V, 
Vgs (Max): ±20V, 
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4260pF @ 13V, 
FET Feature: -, 
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 100W (Tc), 
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1 mOhm @ 29A, 10V, 
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), 
Mounting Type: Surface Mount, 
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX, 
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX																													
													Описание IRF6629TRPBF
							MOSFET N-CH 25V 29A DIRECTFET - N-Channel 25V 29A (Ta), 180A (Tc) 2.8W (Ta), 100W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MX
Транзисторы полевые IRF6629TRPBF					
							Техническая спецификация
| Infineon Technologies | 
| Manufacturer: Infineon Technologies, Series: HEXFET®, Packaging: Digi-Reel®, Part Status: Obsolete, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 25V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 180A (Tc), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51nC @ 4.5V, Vgs (Max): ±20V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4260pF @ 13V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 100W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1 mOhm @ 29A, 10V, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX, Package / Case: DirectFET™ Isometric MX | 
Отзывы
										Оставить отзыв									
								Загрузка отзывов...
Похожие товары
											К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
			В данный момент нет активных товаров

