Под заказ 3-4 недели
Покупка в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты.
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Доставка 3-4 недели после оплаты.
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Техническая спецификация
Производитель
—
ON Semiconductor
Техническая спецификация
—
Manufacturer: ON Semiconductor,
Series: UltraFET™,
Packaging: Tube,
Part Status: Obsolete,
FET Type: N-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130nC @ 20V,
Vgs (Max): ±20V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000pF @ 25V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 200W (Tc),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 56A, 10V,
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ),
Mounting Type: Through Hole,
Supplier Device Package: TO-247-3,
Package / Case: TO-247-3
Описание HUFA75639G3
MOSFET N-CH 100V 56A TO-247 - N-Channel 100V 56A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-247-3
Транзисторы полевые HUFA75639G3
Техническая спецификация
| ON Semiconductor |
| Manufacturer: ON Semiconductor, Series: UltraFET™, Packaging: Tube, Part Status: Obsolete, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130nC @ 20V, Vgs (Max): ±20V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000pF @ 25V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 200W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 56A, 10V, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Supplier Device Package: TO-247-3, Package / Case: TO-247-3 |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров
