Под заказ 3-4 недели
Покупка в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты.
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Доставка 3-4 недели после оплаты.
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Техническая спецификация
Производитель
—
ON Semiconductor
Техническая спецификация
—
Manufacturer: ON Semiconductor,
Series: QFET®,
Packaging: Tube,
Part Status: Obsolete,
FET Type: N-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 600V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54nC @ 10V,
Vgs (Max): ±30V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900pF @ 25V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 180W (Tc),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 5.3A, 10V,
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ),
Mounting Type: Through Hole,
Supplier Device Package: TO-220-3,
Package / Case: TO-220-3
Описание FQP12N60
MOSFET N-CH 600V 10.5A TO-220 - N-Channel 600V 10.5A (Tc) 180W (Tc) Through Hole TO-220-3
Транзисторы полевые FQP12N60
Техническая спецификация
| ON Semiconductor |
| Manufacturer: ON Semiconductor, Series: QFET®, Packaging: Tube, Part Status: Obsolete, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54nC @ 10V, Vgs (Max): ±30V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900pF @ 25V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 180W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 5.3A, 10V, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Supplier Device Package: TO-220-3, Package / Case: TO-220-3 |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров
