Под заказ 3-4 недели
																							
														
															Покупка в 1 клик														
													
												
												
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты.
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
									Доставка 3-4 недели после оплаты.
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Техническая спецификация
									
															Производитель																													
														—
														
																															ON Semiconductor																													
													
															Техническая спецификация																													
														—
														
																															Manufacturer: ON Semiconductor, 
Series: QFET®, 
Packaging: Tape & Reel (TR), 
Part Status: Obsolete, 
FET Type: N-Channel, 
Technology: MOSFET (Metal Oxide), 
Drain to Source Voltage (Vdss): 900V, 
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc), 
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, 
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V, 
Vgs (Max): ±30V, 
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 25V, 
FET Feature: -, 
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 85W (Tc), 
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2 Ohm @ 1.1A, 10V, 
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), 
Mounting Type: Surface Mount, 
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263AB), 
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB																													
													Описание FQB2N90TM
							MOSFET N-CH 900V 2.2A D2PAK - N-Channel 900V 2.2A (Tc) 3.13W (Ta), 85W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
Транзисторы полевые FQB2N90TM					
							Техническая спецификация
| ON Semiconductor | 
| Manufacturer: ON Semiconductor, Series: QFET®, Packaging: Tape & Reel (TR), Part Status: Obsolete, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 900V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V, Vgs (Max): ±30V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 25V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 85W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2 Ohm @ 1.1A, 10V, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: D²PAK (TO-263AB), Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | 
Отзывы
										Оставить отзыв									
								Загрузка отзывов...
Похожие товары
											К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
			В данный момент нет активных товаров

