Под заказ 3-4 недели
Покупка в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Доставка 3-4 недели после оплаты
Техническая спецификация
Производитель
—
Diodes Incorporated
Техническая спецификация
—
Manufacturer: Diodes Incorporated,
Series: -,
Packaging: Tape & Box (TB),
Part Status: Obsolete,
FET Type: P-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160mA (Ta),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA,
Vgs (Max): ±20V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 18V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 Ohm @ 200mA, 10V,
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ),
Mounting Type: Through Hole,
Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible),
Package / Case: E-Line-3
Описание ZVP3306ASTZ
MOSFET P-CH 60V 0.16A TO92-3 - P-Channel 60V 160mA (Ta) 625mW (Ta) Through Hole E-Line (TO-92 compatible)
Транзисторы полевые ZVP3306ASTZ
Наличие
Техническая спецификация
Diodes Incorporated |
Manufacturer: Diodes Incorporated, Series: -, Packaging: Tape & Box (TB), Part Status: Obsolete, FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160mA (Ta), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA, Vgs (Max): ±20V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 18V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 625mW (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 Ohm @ 200mA, 10V, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible), Package / Case: E-Line-3 |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров