Под заказ 3-4 недели
Покупка в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Техническая спецификация
Производитель
—
Toshiba Semiconductor and Storage
Техническая спецификация
—
Manufacturer: Toshiba Semiconductor and Storage,
Series: π-MOSIV,
Packaging: Tube,
Part Status: Active,
FET Type: N-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 900V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V,
Vgs (Max): ±30V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470pF @ 25V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 40W (Tc),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4 Ohm @ 1.5A, 10V,
Operating Temperature: 150°C (TJ),
Mounting Type: Through Hole,
Supplier Device Package: TO-220SIS,
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Описание 2SK3566(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 900V 2.5A TO-220SIS - N-Channel 900V 2.5A (Ta) 40W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Транзисторы полевые 2SK3566(STA4,Q,M)
Наличие
Техническая спецификация
Toshiba Semiconductor and Storage |
Manufacturer: Toshiba Semiconductor and Storage, Series: π-MOSIV, Packaging: Tube, Part Status: Active, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 900V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V, Vgs (Max): ±30V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470pF @ 25V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 40W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4 Ohm @ 1.5A, 10V, Operating Temperature: 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Supplier Device Package: TO-220SIS, Package / Case: TO-220-3 Full Pack |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров