Под заказ 3-4 недели
Покупка в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Доставка 3-4 недели после оплаты
Техническая спецификация
Производитель
—
Infineon Technologies
Техническая спецификация
—
Manufacturer: Infineon Technologies,
Series: HEXFET®,
Packaging: Tube,
Part Status: Obsolete,
FET Type: N-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100nC @ 7V,
Vgs (Max): ±8V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3520pF @ 25V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 14A, 7V,
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ),
Mounting Type: Surface Mount,
Supplier Device Package: 8-SO,
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Описание IRF7484Q
MOSFET N-CH 40V 14A 8-SOIC - N-Channel 40V 14A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Транзисторы полевые IRF7484Q
Наличие
Техническая спецификация
Infineon Technologies |
Manufacturer: Infineon Technologies, Series: HEXFET®, Packaging: Tube, Part Status: Obsolete, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100nC @ 7V, Vgs (Max): ±8V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3520pF @ 25V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 14A, 7V, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: 8-SO, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров