Под заказ 3-4 недели
Покупка в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Техническая спецификация
Производитель
—
Infineon Technologies
Техническая спецификация
—
Manufacturer: Infineon Technologies,
Series: OptiMOS™,
Packaging: Cut Tape (CT),
Part Status: Obsolete,
FET Type: P-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 25µA,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4nC @ 4.5V,
Vgs (Max): ±12V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 654pF @ 15V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 2W (Ta),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67 mOhm @ 4.7A, 4.5V,
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ),
Mounting Type: Surface Mount,
Supplier Device Package: P-TSOP6-6,
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Описание BSL211SP
MOSFET P-CH 20V 4.7A 6-TSOP - P-Channel 20V 4.7A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount P-TSOP6-6
Транзисторы полевые BSL211SP
Наличие
Техническая спецификация
Infineon Technologies |
Manufacturer: Infineon Technologies, Series: OptiMOS™, Packaging: Cut Tape (CT), Part Status: Obsolete, FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 25µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4nC @ 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 654pF @ 15V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67 mOhm @ 4.7A, 4.5V, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: P-TSOP6-6, Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров