Под заказ 3-4 недели
Покупка в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Техническая спецификация
Производитель
—
Diodes Incorporated
Техническая спецификация
—
Manufacturer: Diodes Incorporated,
Series: -,
Packaging: Bulk,
Part Status: Obsolete,
FET Type: P-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 35V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), 12A (Tc),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46nC @ 10V,
Vgs (Max): ±20V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 825pF @ 25V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 20W (Tc),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 2.4A, 10V,
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ),
Mounting Type: Through Hole,
Supplier Device Package: TO-220-3,
Package / Case: TO-220-3
Описание ZXM64P035L3
MOSFET P-CH 35V 12A TO-220-3 - P-Channel 35V 3.3A (Ta), 12A (Tc) 1.5W (Ta), 20W (Tc) Through Hole TO-220-3
Транзисторы полевые ZXM64P035L3
Наличие
Техническая спецификация
Diodes Incorporated |
Manufacturer: Diodes Incorporated, Series: -, Packaging: Bulk, Part Status: Obsolete, FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 35V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), 12A (Tc), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46nC @ 10V, Vgs (Max): ±20V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 825pF @ 25V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 20W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 2.4A, 10V, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Supplier Device Package: TO-220-3, Package / Case: TO-220-3 |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров