Под заказ 3-4 недели
Покупка в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Техническая спецификация
Производитель
—
Infineon Technologies
Техническая спецификация
—
Manufacturer: Infineon Technologies,
Series: HEXFET®,
Packaging: Tube,
Part Status: Obsolete,
FET Type: N-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 206A (Ta),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200nC @ 10V,
Vgs (Max): ±20V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7360pF @ 25V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 300W (Tc),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7 mOhm @ 95A, 10V,
Mounting Type: Through Hole,
Supplier Device Package: SUPER-220™ (TO-273AA),
Package / Case: Super-220™-3 (Straight Leads)
Описание IRFBA1404
MOSFET N-CH 40V 206A SUPER-220 - N-Channel 40V 206A (Ta) 300W (Tc) Through Hole SUPER-220™ (TO-273AA)
Транзисторы полевые IRFBA1404
Наличие
Техническая спецификация
Infineon Technologies |
Manufacturer: Infineon Technologies, Series: HEXFET®, Packaging: Tube, Part Status: Obsolete, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 206A (Ta), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200nC @ 10V, Vgs (Max): ±20V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7360pF @ 25V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7 mOhm @ 95A, 10V, Mounting Type: Through Hole, Supplier Device Package: SUPER-220™ (TO-273AA), Package / Case: Super-220™-3 (Straight Leads) |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров