Под заказ 3-4 недели
Покупка в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Техническая спецификация
Производитель
—
IXYS
Техническая спецификация
—
Manufacturer: IXYS,
Series: HiPerFET™,
Packaging: Tube,
Part Status: Obsolete,
FET Type: N-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc),
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 4mA,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90nC @ 10V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900pF @ 25V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): -,
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1 Ohm @ 6A, 10V,
Operating Temperature: -,
Mounting Type: Through Hole,
Supplier Device Package: ISOPLUS247™,
Package / Case: ISOPLUS247™
Описание IXFR12N100
MOSFET N-CH 1000V 10A ISOPLUS247 - N-Channel 1000V 10A (Tc)Through Hole ISOPLUS247™
Транзисторы полевые IXFR12N100
Наличие
Техническая спецификация
IXYS |
Manufacturer: IXYS, Series: HiPerFET™, Packaging: Tube, Part Status: Obsolete, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 4mA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90nC @ 10V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900pF @ 25V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): -, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1 Ohm @ 6A, 10V, Operating Temperature: -, Mounting Type: Through Hole, Supplier Device Package: ISOPLUS247™, Package / Case: ISOPLUS247™ |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров