Под заказ 3-4 недели
Покупка в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Техническая спецификация
Производитель
—
Infineon Technologies
Техническая спецификация
—
Manufacturer: Infineon Technologies,
Series: HEXFET®,
Packaging: Tube,
Part Status: Obsolete,
FET Type: N-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Ta),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min),
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 5V,
Vgs (Max): ±20V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 89W (Ta),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 15A, 10V,
Mounting Type: Surface Mount,
Supplier Device Package: D-Pak,
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Описание IRLR8103
MOSFET N-CH 30V 89A D-PAK - N-Channel 30V 89A (Ta) 89W (Ta) Surface Mount D-Pak
Транзисторы полевые IRLR8103
Наличие
Техническая спецификация
Infineon Technologies |
Manufacturer: Infineon Technologies, Series: HEXFET®, Packaging: Tube, Part Status: Obsolete, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Ta), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min), Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 5V, Vgs (Max): ±20V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 89W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 15A, 10V, Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: D-Pak, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров