Под заказ 3-4 недели
Покупка в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Техническая спецификация
Производитель
—
Infineon Technologies
Техническая спецификация
—
Manufacturer: Infineon Technologies,
Series: HEXFET®,
Packaging: Tube,
Part Status: Obsolete,
FET Type: N-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43nC @ 4.5V,
Vgs (Max): ±10V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000pF @ 15V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 69W (Tc),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 29A, 7V,
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ),
Mounting Type: Surface Mount,
Supplier Device Package: D2PAK,
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Описание IRL3202S
MOSFET N-CH 20V 48A D2PAK - N-Channel 20V 48A (Tc) 69W (Tc) Surface Mount D2PAK
Транзисторы полевые IRL3202S
Наличие
Техническая спецификация
Infineon Technologies |
Manufacturer: Infineon Technologies, Series: HEXFET®, Packaging: Tube, Part Status: Obsolete, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V, Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43nC @ 4.5V, Vgs (Max): ±10V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000pF @ 15V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 69W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 29A, 7V, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: D2PAK, Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров