Под заказ 3-4 недели
Покупка в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Техническая спецификация
Производитель
—
Vishay Siliconix
Техническая спецификация
—
Manufacturer: Vishay Siliconix,
Series: -,
Packaging: Tube,
Part Status: Obsolete,
FET Type: P-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Tc),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7nC @ 10V,
Vgs (Max): ±20V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200pF @ 25V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 660mA, 10V,
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ),
Mounting Type: Surface Mount,
Supplier Device Package: SOT-223,
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Описание IRFL9110
MOSFET P-CH 100V 1.1A SOT223 - P-Channel 100V 1.1A (Tc) 2W (Ta), 3.1W (Tc) Surface Mount SOT-223
Транзисторы полевые IRFL9110
Наличие
Техническая спецификация
Vishay Siliconix |
Manufacturer: Vishay Siliconix, Series: -, Packaging: Tube, Part Status: Obsolete, FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Tc), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7nC @ 10V, Vgs (Max): ±20V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200pF @ 25V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 660mA, 10V, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: SOT-223, Package / Case: TO-261-4, TO-261AA |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров