Под заказ 3-4 недели
Покупка в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Техническая спецификация
Производитель
—
Infineon Technologies
Техническая спецификация
—
Manufacturer: Infineon Technologies,
Series: HEXFET®,
Packaging: Tube,
Part Status: Obsolete,
FET Type: N-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 28V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 4.5V,
Vgs (Max): ±12V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1760pF @ 15V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 11A, 10V,
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ),
Mounting Type: Surface Mount,
Supplier Device Package: 8-SO,
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Описание IRF7811A
MOSFET N-CH 28V 11.4A 8-SOIC - N-Channel 28V 11A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Транзисторы полевые IRF7811A
Наличие
Техническая спецификация
Infineon Technologies |
Manufacturer: Infineon Technologies, Series: HEXFET®, Packaging: Tube, Part Status: Obsolete, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 28V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1760pF @ 15V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 11A, 10V, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: 8-SO, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров