- Производитель: Vishay Semiconductors
- Модель: FB180SA10
- Официальное Pb-free исполнение: FB180SA10P
- Тип устройства: силовой MOSFET-модуль
- Тип транзистора: N-channel Power MOSFET
- Технология: Power MOSFET пятого поколения
- Конфигурация: одиночный силовой ключ
- Количество параллельных силовых кристаллов: несколько MOSFET-кристаллов, объединённых внутри модуля
- Корпус: SOT-227
- Изоляция корпуса: полностью изолированный корпус
- Напряжение сток–исток VDSS: 100 В
- Непрерывный ток стока ID при TC = 25 °C: 180 А
- Непрерывный ток стока ID при TC = 100 °C: 120 А
- Импульсный ток стока IDM: 720 А
- Максимальная рассеиваемая мощность PD при TC = 25 °C: 480 Вт
- Линейный коэффициент снижения мощности: 2,7 Вт/°C
- Напряжение затвор–исток VGS: ±20 В
- Энергия одиночного лавинного импульса EAS: 700 мДж
- Лавинный ток IAR: 180 А
- Энергия повторяющегося лавинного импульса EAR: 48 мДж
- Максимальный Peak Diode Recovery dV/dt: 5,7 В/нс
- Напряжение изоляции VISO: 2,5 кВ AC RMS
- Рабочая температура перехода TJ: от −55 до +150 °C
- Температура хранения Tstg: от −55 до +150 °C
- Момент затяжки винта M4: 1,3 Н·м
- Максимальное сопротивление открытого канала RDS(on): 0,0065 Ом
- Условия измерения RDS(on): VGS = 10 В, ID = 180 А
- Напряжение пробоя сток–исток V(BR)DSS: минимум 100 В
- Температурный коэффициент напряжения пробоя: тип. 0,093 В/°C
- Пороговое напряжение затвор–исток VGS(th): от 2 до 4 В
- Минимальная крутизна gfs: 93 С
- Максимальный ток утечки сток–исток IDSS при VDS = 100 В: 50 мкА
- Максимальный ток утечки сток–исток при VDS = 80 В и TJ = 125 °C: 500 мкА
- Максимальный ток утечки затвора IGSS: ±200 нА
- Типовой полный заряд затвора Qg: 250 нКл
- Максимальный полный заряд затвора Qg: 380 нКл
- Типовой заряд затвор–исток Qgs: 40 нКл
- Максимальный заряд затвор–исток Qgs: 60 нКл
- Типовой заряд затвор–сток Qgd: 110 нКл
- Максимальный заряд затвор–сток Qgd: 165 нКл
- Типовая задержка включения td(on): 45 нс
- Типовое время нарастания tr: 351 нс
- Типовая задержка выключения td(off): 181 нс
- Типовое время спада tf: 335 нс
- Внутренняя индуктивность истока LS: 5 нГн
- Типовая входная ёмкость Ciss: 10 700 пФ
- Типовая выходная ёмкость Coss: 2800 пФ
- Типовая обратная передаточная ёмкость Crss: 1300 пФ
- Непрерывный ток встроенного body diode IS: 180 А
- Импульсный ток встроенного body diode ISM: 720 А
- Максимальное прямое напряжение диода VSD: 1,3 В
- Типовое время обратного восстановления trr: 300 нс
- Максимальное время обратного восстановления trr: 450 нс
- Типовой заряд обратного восстановления Qrr: 2,6 мкКл
- Максимальный заряд обратного восстановления Qrr: 3,9 мкКл
- Тепловое сопротивление переход–корпус RthJC: максимум 0,26 °C/Вт
- Тепловое сопротивление корпус–радиатор RthCS: тип. 0,05 °C/Вт
- Количество выводов: 4
- Распиновка: Gate — вывод 2, Drain — вывод 3, Source — выводы 1 и 4
- Максимальная ширина корпуса SOT-227: 38,30 мм
- Диапазон ширины корпуса: 37,80–38,30 мм
- Диапазон длины корпуса: 29,80–30,20 мм
- Диапазон высоты корпуса: 11,80–12,30 мм
- Крепёж: 4 гайки M4
Описание FB180SA10 силовой MOSFET-модуль Vishay
FB180SA10 от Vishay Semiconductors — высокотоковый силовой N-канальный MOSFET-модуль, предназначенный для мощных промышленных систем преобразования и коммутации энергии. Устройство построено на базе Power MOSFET пятого поколения и объединяет параллельно соединённые силовые MOSFET-кристаллы в компактном полностью изолированном корпусе SOT-227. Максимальное напряжение сток–исток VDSS составляет 100 В, а непрерывный ток стока достигает 180 А при TC = 25 °C.
Одной из ключевых характеристик Vishay FB180SA10 является очень низкое сопротивление открытого канала RDS(on) = 0,0065 Ом при VGS = 10 В и токе ID = 180 А. Максимальный импульсный ток стока составляет 720 А, а допустимая рассеиваемая мощность при температуре корпуса 25 °C достигает 480 Вт. Такое сочетание параметров позволяет использовать модуль в мощных низковольтных преобразовательных каскадах и системах с высокой токовой нагрузкой.
FB180SA10 имеет полную лавинную стойкость. Энергия одиночного лавинного импульса составляет 700 мДж, допустимый лавинный ток — 180 А, а максимальное напряжение затвор–исток — ±20 В. Встроенный body diode допускает непрерывный ток до 180 А и импульсный ток до 720 А.
Полностью изолированный корпус SOT-227 рассчитан на непосредственное крепление к радиатору и обеспечивает напряжение изоляции 2,5 кВ AC RMS. Рабочий диапазон температуры перехода составляет от −55 до +150 °C. Низкое тепловое сопротивление и малая внутренняя индуктивность делают модуль подходящим для профессиональной силовой электроники.
Область применения
- импульсные источники питания;
- DC/DC-преобразователи;
- высокотоковые силовые ключи;
- промышленные преобразователи мощности;
- системы управления электродвигателями;
- инверторные системы;
- промышленная силовая электроника;
- оборудование с высокой токовой нагрузкой.
Техническая спецификация
|

