Софт Логистик
Интернет-магазин электронных компонентов
Каталог
IGBT модули
Транзисторы биполярные (IGBTs)
Диодно-тиристорные модули
Средства разработки и прототипирования
Промышленное оборудование
Драйверы для IGBT модулей
Микросхемы
Транзисторы полевые
В наличии
Серверное оборудование
Товары в наличии
IGBT модуль CM300DY-12NF
FF200R12KT4HOSA1 силовой IGBT-модуль Infineon
IGBT модуль IRAM136-3063B
IGBT модуль CM600DY-24A
CM2400HCB-34N высоковольтный IGBT-модуль Mitsubishi Electric
IGBT модуль CM200DY-12NF
IGBT модуль SKM300GB125D
Модуль SKKT570/18E
Транзистор FGL40N120AND
IGBT модуль MCC501-16IO2
Как купить
Компания
Контакты
+7 (499) 325-63-03
+7 (499) 325-63-03
+7 (995) 301-28-09
Заказать звонок
Задать вопрос
Войти
  • Корзина0
  • Отложенные0
zakaz@soft-logistic.ru
г. Москва, ул Кулакова, д. 20, стр. 1а (Технопарк Орбита)
  • Telegram
  • telegram
  • Viber
Софт Логистик
+7 (499) 325-63-03
+7 (995) 301-28-09
E-mail
zakaz@soft-logistic.ru
г. Москва, ул Кулакова, д. 20, стр. 1а (Технопарк Орбита)
Товары в наличии
Как купить
О компании
Контакты
+  ЕЩЕ
    Войти
    Отложенные 0
    Корзина 0
    Каталог
    • IGBT модули
      IGBT модули
    • Транзисторы биполярные (IGBTs)
      Транзисторы биполярные (IGBTs)
    • Диодно-тиристорные модули
      Диодно-тиристорные модули
    • Средства разработки и прототипирования
      Средства разработки и прототипирования
    • Промышленное оборудование
      Промышленное оборудование
    • Драйверы для IGBT модулей
      Драйверы для IGBT модулей
    • Микросхемы
      Микросхемы
    • Транзисторы полевые
      Транзисторы полевые
    • Серверное оборудование
      Серверное оборудование
    Софт Логистик
    +7 (499) 325-63-03
    +7 (499) 325-63-03
    +7 (995) 301-28-09
    Отложенные 0 Корзина 0
    Софт Логистик
    Отложенные 0 Корзина 0
    Телефоны
    +7 (499) 325-63-03
    +7 (995) 301-28-09
    • Каталог
      • Назад
      • Каталог
      • IGBT модули
      • Транзисторы биполярные (IGBTs)
      • Диодно-тиристорные модули
      • Средства разработки и прототипирования
      • Промышленное оборудование
      • Драйверы для IGBT модулей
      • Микросхемы
      • Транзисторы полевые
      • В наличии
      • Серверное оборудование
    • Товары в наличии
      • Назад
      • Товары в наличии
      • IGBT модуль CM300DY-12NF
      • FF200R12KT4HOSA1 силовой IGBT-модуль Infineon
      • IGBT модуль IRAM136-3063B
      • IGBT модуль CM600DY-24A
      • CM2400HCB-34N высоковольтный IGBT-модуль Mitsubishi Electric
      • IGBT модуль CM200DY-12NF
      • IGBT модуль SKM300GB125D
      • Модуль SKKT570/18E
      • Транзистор FGL40N120AND
      • IGBT модуль MCC501-16IO2
    • Как купить
    • Компания
    • Контакты
    • Личный кабинет
    • Корзина0
    • Отложенные0
    • +7 (499) 325-63-03
      • Назад
      • Телефоны
      • +7 (499) 325-63-03
      • +7 (995) 301-28-09
    Контактная информация
    г. Москва, ул Кулакова, д. 20, стр. 1а (Технопарк Орбита)
    zakaz@soft-logistic.ru
    • Telegram
    • telegram
    • Viber

    FB180SA10 силовой MOSFET-модуль Vishay

    Главная
    —
    Каталог
    —
    Транзисторы полевые
    —FB180SA10 силовой MOSFET-модуль Vishay
    FB180SA10 силовой MOSFET-модуль Vishay
    Артикул: FB180SA10
    2 800 ₽/шт
    Варианты цен
    2 800 ₽/шт
    Подробности
    Под заказ 3-4 недели
    В корзинуВ корзине
    Купить в 1 клик
    Техническая спецификация
    Техническая спецификация
    —
    • Производитель: Vishay Semiconductors
    • Модель: FB180SA10
    • Официальное Pb-free исполнение: FB180SA10P
    • Тип устройства: силовой MOSFET-модуль
    • Тип транзистора: N-channel Power MOSFET
    • Технология: Power MOSFET пятого поколения
    • Конфигурация: одиночный силовой ключ
    • Количество параллельных силовых кристаллов: несколько MOSFET-кристаллов, объединённых внутри модуля
    • Корпус: SOT-227
    • Изоляция корпуса: полностью изолированный корпус
    • Напряжение сток–исток VDSS: 100 В
    • Непрерывный ток стока ID при TC = 25 °C: 180 А
    • Непрерывный ток стока ID при TC = 100 °C: 120 А
    • Импульсный ток стока IDM: 720 А
    • Максимальная рассеиваемая мощность PD при TC = 25 °C: 480 Вт
    • Линейный коэффициент снижения мощности: 2,7 Вт/°C
    • Напряжение затвор–исток VGS: ±20 В
    • Энергия одиночного лавинного импульса EAS: 700 мДж
    • Лавинный ток IAR: 180 А
    • Энергия повторяющегося лавинного импульса EAR: 48 мДж
    • Максимальный Peak Diode Recovery dV/dt: 5,7 В/нс
    • Напряжение изоляции VISO: 2,5 кВ AC RMS
    • Рабочая температура перехода TJ: от −55 до +150 °C
    • Температура хранения Tstg: от −55 до +150 °C
    • Момент затяжки винта M4: 1,3 Н·м
    • Максимальное сопротивление открытого канала RDS(on): 0,0065 Ом
    • Условия измерения RDS(on): VGS = 10 В, ID = 180 А
    • Напряжение пробоя сток–исток V(BR)DSS: минимум 100 В
    • Температурный коэффициент напряжения пробоя: тип. 0,093 В/°C
    • Пороговое напряжение затвор–исток VGS(th): от 2 до 4 В
    • Минимальная крутизна gfs: 93 С
    • Максимальный ток утечки сток–исток IDSS при VDS = 100 В: 50 мкА
    • Максимальный ток утечки сток–исток при VDS = 80 В и TJ = 125 °C: 500 мкА
    • Максимальный ток утечки затвора IGSS: ±200 нА
    • Типовой полный заряд затвора Qg: 250 нКл
    • Максимальный полный заряд затвора Qg: 380 нКл
    • Типовой заряд затвор–исток Qgs: 40 нКл
    • Максимальный заряд затвор–исток Qgs: 60 нКл
    • Типовой заряд затвор–сток Qgd: 110 нКл
    • Максимальный заряд затвор–сток Qgd: 165 нКл
    • Типовая задержка включения td(on): 45 нс
    • Типовое время нарастания tr: 351 нс
    • Типовая задержка выключения td(off): 181 нс
    • Типовое время спада tf: 335 нс
    • Внутренняя индуктивность истока LS: 5 нГн
    • Типовая входная ёмкость Ciss: 10 700 пФ
    • Типовая выходная ёмкость Coss: 2800 пФ
    • Типовая обратная передаточная ёмкость Crss: 1300 пФ
    • Непрерывный ток встроенного body diode IS: 180 А
    • Импульсный ток встроенного body diode ISM: 720 А
    • Максимальное прямое напряжение диода VSD: 1,3 В
    • Типовое время обратного восстановления trr: 300 нс
    • Максимальное время обратного восстановления trr: 450 нс
    • Типовой заряд обратного восстановления Qrr: 2,6 мкКл
    • Максимальный заряд обратного восстановления Qrr: 3,9 мкКл
    • Тепловое сопротивление переход–корпус RthJC: максимум 0,26 °C/Вт
    • Тепловое сопротивление корпус–радиатор RthCS: тип. 0,05 °C/Вт
    • Количество выводов: 4
    • Распиновка: Gate — вывод 2, Drain — вывод 3, Source — выводы 1 и 4
    • Максимальная ширина корпуса SOT-227: 38,30 мм
    • Диапазон ширины корпуса: 37,80–38,30 мм
    • Диапазон длины корпуса: 29,80–30,20 мм
    • Диапазон высоты корпуса: 11,80–12,30 мм
    • Крепёж: 4 гайки M4

    Описание FB180SA10 силовой MOSFET-модуль Vishay

    FB180SA10 от Vishay Semiconductors — высокотоковый силовой N-канальный MOSFET-модуль, предназначенный для мощных промышленных систем преобразования и коммутации энергии. Устройство построено на базе Power MOSFET пятого поколения и объединяет параллельно соединённые силовые MOSFET-кристаллы в компактном полностью изолированном корпусе SOT-227. Максимальное напряжение сток–исток VDSS составляет 100 В, а непрерывный ток стока достигает 180 А при TC = 25 °C.

    Одной из ключевых характеристик Vishay FB180SA10 является очень низкое сопротивление открытого канала RDS(on) = 0,0065 Ом при VGS = 10 В и токе ID = 180 А. Максимальный импульсный ток стока составляет 720 А, а допустимая рассеиваемая мощность при температуре корпуса 25 °C достигает 480 Вт. Такое сочетание параметров позволяет использовать модуль в мощных низковольтных преобразовательных каскадах и системах с высокой токовой нагрузкой.

    FB180SA10 имеет полную лавинную стойкость. Энергия одиночного лавинного импульса составляет 700 мДж, допустимый лавинный ток — 180 А, а максимальное напряжение затвор–исток — ±20 В. Встроенный body diode допускает непрерывный ток до 180 А и импульсный ток до 720 А.

    Полностью изолированный корпус SOT-227 рассчитан на непосредственное крепление к радиатору и обеспечивает напряжение изоляции 2,5 кВ AC RMS. Рабочий диапазон температуры перехода составляет от −55 до +150 °C. Низкое тепловое сопротивление и малая внутренняя индуктивность делают модуль подходящим для профессиональной силовой электроники.

    Область применения

    • импульсные источники питания;
    • DC/DC-преобразователи;
    • высокотоковые силовые ключи;
    • промышленные преобразователи мощности;
    • системы управления электродвигателями;
    • инверторные системы;
    • промышленная силовая электроника;
    • оборудование с высокой токовой нагрузкой.

    Техническая спецификация

    • Производитель: Vishay Semiconductors
    • Модель: FB180SA10
    • Официальное Pb-free исполнение: FB180SA10P
    • Тип устройства: силовой MOSFET-модуль
    • Тип транзистора: N-channel Power MOSFET
    • Технология: Power MOSFET пятого поколения
    • Конфигурация: одиночный силовой ключ
    • Количество параллельных силовых кристаллов: несколько MOSFET-кристаллов, объединённых внутри модуля
    • Корпус: SOT-227
    • Изоляция корпуса: полностью изолированный корпус
    • Напряжение сток–исток VDSS: 100 В
    • Непрерывный ток стока ID при TC = 25 °C: 180 А
    • Непрерывный ток стока ID при TC = 100 °C: 120 А
    • Импульсный ток стока IDM: 720 А
    • Максимальная рассеиваемая мощность PD при TC = 25 °C: 480 Вт
    • Линейный коэффициент снижения мощности: 2,7 Вт/°C
    • Напряжение затвор–исток VGS: ±20 В
    • Энергия одиночного лавинного импульса EAS: 700 мДж
    • Лавинный ток IAR: 180 А
    • Энергия повторяющегося лавинного импульса EAR: 48 мДж
    • Максимальный Peak Diode Recovery dV/dt: 5,7 В/нс
    • Напряжение изоляции VISO: 2,5 кВ AC RMS
    • Рабочая температура перехода TJ: от −55 до +150 °C
    • Температура хранения Tstg: от −55 до +150 °C
    • Момент затяжки винта M4: 1,3 Н·м
    • Максимальное сопротивление открытого канала RDS(on): 0,0065 Ом
    • Условия измерения RDS(on): VGS = 10 В, ID = 180 А
    • Напряжение пробоя сток–исток V(BR)DSS: минимум 100 В
    • Температурный коэффициент напряжения пробоя: тип. 0,093 В/°C
    • Пороговое напряжение затвор–исток VGS(th): от 2 до 4 В
    • Минимальная крутизна gfs: 93 С
    • Максимальный ток утечки сток–исток IDSS при VDS = 100 В: 50 мкА
    • Максимальный ток утечки сток–исток при VDS = 80 В и TJ = 125 °C: 500 мкА
    • Максимальный ток утечки затвора IGSS: ±200 нА
    • Типовой полный заряд затвора Qg: 250 нКл
    • Максимальный полный заряд затвора Qg: 380 нКл
    • Типовой заряд затвор–исток Qgs: 40 нКл
    • Максимальный заряд затвор–исток Qgs: 60 нКл
    • Типовой заряд затвор–сток Qgd: 110 нКл
    • Максимальный заряд затвор–сток Qgd: 165 нКл
    • Типовая задержка включения td(on): 45 нс
    • Типовое время нарастания tr: 351 нс
    • Типовая задержка выключения td(off): 181 нс
    • Типовое время спада tf: 335 нс
    • Внутренняя индуктивность истока LS: 5 нГн
    • Типовая входная ёмкость Ciss: 10 700 пФ
    • Типовая выходная ёмкость Coss: 2800 пФ
    • Типовая обратная передаточная ёмкость Crss: 1300 пФ
    • Непрерывный ток встроенного body diode IS: 180 А
    • Импульсный ток встроенного body diode ISM: 720 А
    • Максимальное прямое напряжение диода VSD: 1,3 В
    • Типовое время обратного восстановления trr: 300 нс
    • Максимальное время обратного восстановления trr: 450 нс
    • Типовой заряд обратного восстановления Qrr: 2,6 мкКл
    • Максимальный заряд обратного восстановления Qrr: 3,9 мкКл
    • Тепловое сопротивление переход–корпус RthJC: максимум 0,26 °C/Вт
    • Тепловое сопротивление корпус–радиатор RthCS: тип. 0,05 °C/Вт
    • Количество выводов: 4
    • Распиновка: Gate — вывод 2, Drain — вывод 3, Source — выводы 1 и 4
    • Максимальная ширина корпуса SOT-227: 38,30 мм
    • Диапазон ширины корпуса: 37,80–38,30 мм
    • Диапазон длины корпуса: 29,80–30,20 мм
    • Диапазон высоты корпуса: 11,80–12,30 мм
    • Крепёж: 4 гайки M4

    Похожие товары

    Транзистор IXFN27N80
    Быстрый просмотр
    Транзистор IXFN27N80
    Есть в наличии: 10
    800 ₽
    Варианты цен
    800 ₽
    Подробности
    В корзинуВ корзине
    SIHFS11N50A-GE3
    Быстрый просмотр
    SIHFS11N50A-GE3
    Под заказ 3-4 недели
    112 ₽
    Варианты цен
    112 ₽
    Подробности
    В корзинуВ корзине
    MRFX1K80H-88MHZ
    Быстрый просмотр
    MRFX1K80H-88MHZ
    Под заказ 3-4 недели
    135 660 ₽
    Варианты цен
    135 660 ₽
    Подробности
    В корзинуВ корзине
    IXFA130N10T2
    Быстрый просмотр
    IXFA130N10T2
    Под заказ 3-4 недели
    311 ₽
    Варианты цен
    311 ₽
    Подробности
    В корзинуВ корзине
    2SK3670(T6CANO,A,F
    Быстрый просмотр
    2SK3670(T6CANO,A,F
    Под заказ 3-4 недели
    Покупка в 1 клик
    EPC2020ENGR
    Быстрый просмотр
    EPC2020ENGR
    Под заказ 3-4 недели
    781 ₽
    Варианты цен
    781 ₽
    Подробности
    В корзинуВ корзине
    FDY301NZ_G
    Быстрый просмотр
    FDY301NZ_G
    Под заказ 3-4 недели
    Покупка в 1 клик
    TK13A55DA(STA4,QM)
    Быстрый просмотр
    TK13A55DA(STA4,QM)
    Под заказ 3-4 недели
    259 ₽
    Варианты цен
    259 ₽
    Подробности
    В корзинуВ корзине
    CPH3456-TL-H
    Быстрый просмотр
    CPH3456-TL-H
    Под заказ 3-4 недели
    Покупка в 1 клик
    AON2701L#A
    Быстрый просмотр
    AON2701L#A
    Под заказ 3-4 недели
    Покупка в 1 клик
    DMN10H700S-13
    Быстрый просмотр
    DMN10H700S-13
    Под заказ 3-4 недели
    7 ₽
    Варианты цен
    7 ₽
    Подробности
    В корзинуВ корзине
    FQB7N60TM-WS
    Быстрый просмотр
    FQB7N60TM-WS
    Под заказ 3-4 недели
    Покупка в 1 клик
    IPP80N06S4L05AKSA2
    Быстрый просмотр
    IPP80N06S4L05AKSA2
    Под заказ 3-4 недели
    Покупка в 1 клик
    AOD4144_002
    Быстрый просмотр
    AOD4144_002
    Под заказ 3-4 недели
    Покупка в 1 клик
    94-4849PBF
    Быстрый просмотр
    94-4849PBF
    Под заказ 3-4 недели
    Покупка в 1 клик
    SFT1342-TL-E
    Быстрый просмотр
    SFT1342-TL-E
    Под заказ 3-4 недели
    Покупка в 1 клик
    IRLR7843CTRPBF
    Быстрый просмотр
    IRLR7843CTRPBF
    Под заказ 3-4 недели
    Покупка в 1 клик
    STD45NF75T4
    Быстрый просмотр
    STD45NF75T4
    Под заказ 3-4 недели
    211 ₽
    Варианты цен
    211 ₽
    Подробности
    В корзинуВ корзине
    TK8A10K3,S5Q
    Быстрый просмотр
    TK8A10K3,S5Q
    Под заказ 3-4 недели
    173 ₽
    Варианты цен
    173 ₽
    Подробности
    В корзинуВ корзине
    AO3414L
    Быстрый просмотр
    AO3414L
    Под заказ 3-4 недели
    Покупка в 1 клик

    Нужна консультация?

    Наши специалисты ответят на любой интересующий вопрос
    Задать вопрос
    Каталог
    • IGBT модули
    • Транзисторы биполярные (IGBTs)
    • Диодно-тиристорные модули
    • Средства разработки и прототипирования
    • Промышленное оборудование
    • Драйверы для IGBT модулей
    • Микросхемы
    • Транзисторы полевые
    • Серверное оборудование
    Каталог
    IGBT модули
    Транзисторы биполярные (IGBTs)
    Диодно-тиристорные модули
    Средства разработки и прототипирования
    Промышленное оборудование
    Драйверы для IGBT модулей
    Микросхемы
    Транзисторы полевые
    В наличии
    Серверное оборудование
    Товары в наличии
    IGBT модуль CM300DY-12NF
    FF200R12KT4HOSA1 силовой IGBT-модуль Infineon
    IGBT модуль IRAM136-3063B
    IGBT модуль CM600DY-24A
    CM2400HCB-34N высоковольтный IGBT-модуль Mitsubishi Electric
    IGBT модуль CM200DY-12NF
    IGBT модуль SKM300GB125D
    Модуль SKKT570/18E
    Транзистор FGL40N120AND
    IGBT модуль MCC501-16IO2
    О компании
    О компании
    Как купить
    Контакты
    Согласие на обработку данных
    Политика конфиденциальности
    Политика в отношении файлов cookie
    +7 (499) 325-63-03
    +7 (499) 325-63-03
    +7 (995) 301-28-09
    zakaz@soft-logistic.ru
    г. Москва, ул Кулакова, д. 20, стр. 1а (Технопарк Орбита)
    Поиск компонентов
    +79953012809
    Max
    2017-2026 © ООО «Софт-Логистик»
    Разработано
    Digital Agency