Под заказ 3-4 недели
Покупка в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Доставка 3-4 недели после оплаты
Техническая спецификация
Производитель
—
ON Semiconductor
Техническая спецификация
—
Manufacturer: ON Semiconductor,
Series: PowerTrench®,
Packaging: Tube,
Part Status: Obsolete,
FET Type: N-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 5V,
Vgs (Max): ±20V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250pF @ 15V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 52W (Tc),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 26A, 10V,
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ),
Mounting Type: Through Hole,
Supplier Device Package: TO-220-3,
Package / Case: TO-220-3
Описание FDP6030L
MOSFET N-CH 30V 48A TO-220 - N-Channel 30V 48A (Ta) 52W (Tc) Through Hole TO-220-3
Транзисторы полевые FDP6030L
Наличие
Техническая спецификация
ON Semiconductor |
Manufacturer: ON Semiconductor, Series: PowerTrench®, Packaging: Tube, Part Status: Obsolete, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 5V, Vgs (Max): ±20V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250pF @ 15V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 52W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 26A, 10V, Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Supplier Device Package: TO-220-3, Package / Case: TO-220-3 |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров