Под заказ 3-4 недели
Покупка в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Доставка 3-4 недели после оплаты
Техническая спецификация
Производитель
—
Diodes Incorporated
Техническая спецификация
—
Manufacturer: Diodes Incorporated,
Series: -,
Packaging: Bulk,
Part Status: Obsolete,
FET Type: P-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 200V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA,
Vgs (Max): ±20V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100pF @ 25V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 Ohm @ 150mA, 10V,
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ),
Mounting Type: Through Hole,
Supplier Device Package: TO-92-3,
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Описание ZVP2120A
MOSFET P-CH 200V 0.12A TO92-3 - P-Channel 200V 120mA (Ta) 700mW (Ta) Through Hole TO-92-3
Транзисторы полевые ZVP2120A
Наличие
Техническая спецификация
Diodes Incorporated |
Manufacturer: Diodes Incorporated, Series: -, Packaging: Bulk, Part Status: Obsolete, FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 200V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA, Vgs (Max): ±20V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100pF @ 25V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 Ohm @ 150mA, 10V, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Supplier Device Package: TO-92-3, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров