Под заказ 3-4 недели
Покупка в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Доставка 3-4 недели после оплаты
Техническая спецификация
Производитель
—
NXP USA Inc.
Техническая спецификация
—
Manufacturer: NXP USA Inc.,
Series: TrenchMOS™,
Packaging: Digi-Reel®,
Part Status: Obsolete,
FET Type: N-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 830mA (Ta),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.89nC @ 4.5V,
Vgs (Max): ±8V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43pF @ 25V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 560mW (Tc),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480 mOhm @ 200mA, 4.5V,
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ),
Mounting Type: Surface Mount,
Supplier Device Package: SOT-323-3,
Package / Case: SC-70, SOT-323
Описание PMF400UN,115
MOSFET N-CH 30V 830MA SOT323 - N-Channel 30V 830mA (Ta) 560mW (Tc) Surface Mount SOT-323-3
Транзисторы полевые PMF400UN,115
Наличие
Техническая спецификация
NXP USA Inc. |
Manufacturer: NXP USA Inc., Series: TrenchMOS™, Packaging: Digi-Reel®, Part Status: Obsolete, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 830mA (Ta), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.89nC @ 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43pF @ 25V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 560mW (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480 mOhm @ 200mA, 4.5V, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: SOT-323-3, Package / Case: SC-70, SOT-323 |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров