Под заказ 3-4 недели
Покупка в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Техническая спецификация
Производитель
—
NXP USA Inc.
Техническая спецификация
—
Manufacturer: NXP USA Inc.,
Series: TrenchMOS™,
Packaging: Digi-Reel®,
Part Status: Obsolete,
FET Type: N-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 650mV @ 1mA,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V,
Vgs (Max): ±8V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230pF @ 10V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 830mW (Tc),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 3.6A, 4.5V,
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ),
Mounting Type: Surface Mount,
Supplier Device Package: TO-236AB (SOT23),
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Описание SI2302DS,215
MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23 - N-Channel 20V 2.5A (Tc) 830mW (Tc) Surface Mount TO-236AB (SOT23)
Транзисторы полевые SI2302DS,215
Наличие
Техническая спецификация
NXP USA Inc. |
Manufacturer: NXP USA Inc., Series: TrenchMOS™, Packaging: Digi-Reel®, Part Status: Obsolete, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 650mV @ 1mA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230pF @ 10V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 830mW (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 3.6A, 4.5V, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: TO-236AB (SOT23), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров