Под заказ 3-4 недели
Покупка в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Техническая спецификация
Производитель
—
Nexperia USA Inc.
Техническая спецификация
—
Manufacturer: Nexperia USA Inc.,
Series: TrenchMOS™,
Packaging: Digi-Reel®,
Part Status: Obsolete,
FET Type: N-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 173mA (Ta),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA,
Vgs (Max): ±20V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 10V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 830mW (Tc),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 Ohm @ 100mA, 10V,
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ),
Mounting Type: Surface Mount,
Supplier Device Package: TO-236AB (SOT23),
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Описание BSN20,215
MOSFET N-CH 50V 173MA SOT-23 - N-Channel 50V 173mA (Ta) 830mW (Tc) Surface Mount TO-236AB (SOT23)
Транзисторы полевые BSN20,215
Наличие
Техническая спецификация
Nexperia USA Inc. |
Manufacturer: Nexperia USA Inc., Series: TrenchMOS™, Packaging: Digi-Reel®, Part Status: Obsolete, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 50V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 173mA (Ta), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, Vgs (Max): ±20V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 10V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 830mW (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 Ohm @ 100mA, 10V, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: TO-236AB (SOT23), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров