Под заказ 3-4 недели
Покупка в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Техническая спецификация
Производитель
—
Nexperia USA Inc.
Техническая спецификация
—
Manufacturer: Nexperia USA Inc.,
Series: TrenchMOS™,
Packaging: Digi-Reel®,
Part Status: Discontinued at Digi-Key,
FET Type: N-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc),
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 1mA,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78nC @ 4.5V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5850pF @ 10V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7 mOhm @ 25A, 4.5V,
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ),
Mounting Type: Surface Mount,
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8,
Package / Case: SC-100, SOT-669
Описание PH2520U,115
MOSFET N-CH 20V 100A LFPAK - N-Channel 20V 100A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
Транзисторы полевые PH2520U,115
Наличие
Техническая спецификация
Nexperia USA Inc. |
Manufacturer: Nexperia USA Inc., Series: TrenchMOS™, Packaging: Digi-Reel®, Part Status: Discontinued at Digi-Key, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 1mA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78nC @ 4.5V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5850pF @ 10V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7 mOhm @ 25A, 4.5V, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8, Package / Case: SC-100, SOT-669 |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров