В корзину
Купить в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Техническая спецификация
Производитель
—
Microsemi Corporation
Техническая спецификация
—
Manufacturer: Microsemi Corporation,
Series: Military, MIL-PRF-19500/614,
Part Status: Active,
FET Type: N-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.4A (Tc),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 12V,
Vgs (Max): ±20V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 75W (Tc),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 14.4A, 12V,
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ),
Mounting Type: Through Hole,
Supplier Device Package: TO-257,
Package / Case: TO-257-3
Описание JANSR2N7380
N CHANNEL MOSFET TO-257 RAD - N-Channel 100V 14.4A (Tc) 2W (Ta), 75W (Tc) Through Hole TO-257
Транзисторы полевые JANSR2N7380
Наличие
Техническая спецификация
Microsemi Corporation |
Manufacturer: Microsemi Corporation, Series: Military, MIL-PRF-19500/614, Part Status: Active, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.4A (Tc), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 12V, Vgs (Max): ±20V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 75W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 14.4A, 12V, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Supplier Device Package: TO-257, Package / Case: TO-257-3 |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров